MMBD352W

更新时间： 2024-01-28 06:51:16

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鲁光 - LGE		二极管
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Schottky Barrier Diodes

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MMBD352W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	1 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBD352W 数据手册

MMBD352W

Schottky Barrier Diodes

SOT-323

Features

Very low capacitance-less than 1.0Pf

@zero volts.

Low forward voltage-0.5 Voltage(Typ.)

@I_F=10mA.

Applications

Dimensions in inches and (millimeters)

For UHF mixer applications.

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SOT-323

MMBD352W

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Continuous reverse voltage

V_R

7.0

Power Dissipation

P_d

200

Thermal resistance junction-to-ambient

Junction temperature

R_θJA

T_j

625

150

℃

Storage temperature range

T_stg

-55-+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

Typ.

MAX

UNIT

V_R=3.0V.

V_R=7.0V

0.25

Reverse current

I_R

μA

Forward voltage

V_F

I_F=10mA

0.60

1.0

Diode capacitance

C_D

V_R=0V, f=1MHz

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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