5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MJD122
MJD122 PDF预览

MJD122

更新时间： 2024-11-01 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJD122 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.09外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A基于收集器的最大容量：200 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：20 W最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHz最大关闭时间（toff）：3500 ns
VCEsat-Max：4 VBase Number Matches：1

MJD122 数据手册

 浏览型号MJD122的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD122的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD122的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD122的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MJD122的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MJD122的Datasheet PDF文件第7页 
Order this document  
by MJD122/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK For Surface Mount Applications  
*Motorola Preferred Device  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
8 AMPERES  
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series, TIP120–TIP122  
Series, and TIP125–TIP127 Series  
100 VOLTS  
20 WATTS  
•
•
•
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
High DC Current Gain — h  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
FE  
C
Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
MJD122  
MJD127  
Rating  
Symbol  
Unit  
CASE 369A–13  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
100  
100  
5
Vdc  
V
CB  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8
16  
Base Current  
I
B
120  
mAdc  
CASE 369–07  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.75  
0.014  
Watts  
W/ C  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
R
θJC  
θJA  
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
100  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 50 Vdc, I = 0)  
I
10  
µAdc  
CEO  
CE  
B
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.  
(continued)  
inches  
mm  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
12345678

中文翻译

下载PDF

MJD122 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD122T4G ONSEMI

功能相似

 Complementary Darlington Power Transistor
MJD122G ONSEMI

功能相似

 Complementary Darlington Power Transistor
MJD122T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与MJD122相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD122 TO-251 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		100V,8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MJD122 TO-252 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		100V,8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MJD122_05 ONSEMI

获取价格

 		Complementary Darlington Power Transistor
MJD122_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		nullLow voltage power Darlington transistor
MJD122_09 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Silicon Darlington Transistor
MJD122_11 ONSEMI

获取价格

 		Complementary Darlington Power Transistor
MJD122-1 MOTOROLA

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD122-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD122-1 SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD122-1G ONSEMI

获取价格

 		8.0 A，100 V，NPN 达林顿双极功率晶体管

与MJD122相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证