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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD122-1
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MJD122-1

更新时间： 2024-11-01 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

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MJD122-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.2Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
基于收集器的最大容量：200 pF集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：20 W
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
最大关闭时间（toff）：3500 nsVCEsat-Max：4 V
Base Number Matches：1

MJD122-1 数据手册

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by MJD122/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK For Surface Mount Applications  
*Motorola Preferred Device  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
8 AMPERES  
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series, TIP120–TIP122  
Series, and TIP125–TIP127 Series  
100 VOLTS  
20 WATTS  
•
•
•
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
High DC Current Gain — h  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
FE  
C
Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
MJD122  
MJD127  
Rating  
Symbol  
Unit  
CASE 369A–13  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
100  
100  
5
Vdc  
V
CB  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8
16  
Base Current  
I
B
120  
mAdc  
CASE 369–07  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.75  
0.014  
Watts  
W/ C  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
R
θJC  
θJA  
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
100  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 50 Vdc, I = 0)  
I
10  
µAdc  
CEO  
CE  
B
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.  
(continued)  
inches  
mm  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
12345678

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