5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | TO-251, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD127G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Darlington Power Transistor |
|
| MJD127PNP | CDIL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
|
| MJD127R | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| MJD127R-AH | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 |
|
| MJD127R-CH | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 |
|
| MJD127R-HAF | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 |
|
| MJD127RLG | ONSEMI |
获取价格 |
8.0 A，100 V，PNP 达林顿双极功率晶体管 |
|
| MJD127T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT |
|
| MJD127T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Darlington Power Transistor |
|
| MJD127T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
