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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD122TF
MJD122TF PDF预览

MJD122TF

更新时间： 2024-11-06 13:11:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 126K
描述
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-REEL

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MJD122TF 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.07
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MJD122TF 数据手册

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MJD122 (NPN)  
MJD127 (PNP)  
Complementary Darlington  
Power Transistor  
DPAK For Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching  
applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTOR  
8 AMPERES  
100 VOLTS, 20 WATTS  
Features  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
• Surface Mount Replacements for 2N6040−2N6045 Series,  
TIP120−TIP122 Series, and TIP125−TIP127 Series  
COLLECTOR 2,4  
• Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors  
• High DC Current Gain: h = 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
BASE  
1
FE  
C
Machine Model, C u 400 V  
EMITTER 3  
• Pb−Free Packages are Available  
MARKING  
DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
100  
100  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
2
1
V
CEO  
AYWW  
J12xG  
3
V
V
CB  
EB  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
C
8
16  
WW = Work Week  
x
G
= 2 or 7  
= Pb−Free Package  
Base Current  
I
120  
mAdc  
B
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
20  
0.16  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
ORDERING INFORMATION  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
D
@ T = 25°C  
1.75  
0.014  
W
W/°C  
†
A
Device  
Package  
Shipping  
Derate above 25°C  
MJD122  
DPAK  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
MJD122G  
DPAK  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MJD122T4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
2500/Tape & Reel  
Symbol  
Max  
Unit  
MJD122T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance  
R
q
JC  
6.25  
°C/W  
Junction−to−Case  
DPAK  
75 Units/Rail  
75 Units/Rail  
MJD127  
Thermal Resistance  
R
q
JA  
71.4  
°C/W  
MJD127G  
DPAK  
(Pb−Free)  
Junction−to−Ambient (Note1)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
MJD127T4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
2500/Tape & Reel  
MJD127T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
March, 2011 − Rev. 10  
MJD122/D  
 
1234567

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MJD122TF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSH122TM ONSEMI

完全替代

 NPN 硅达林顿晶体管
MJD122T4G ONSEMI

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 Complementary Darlington Power Transistor
MJD122G ONSEMI

类似代替

 Complementary Darlington Power Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD122-TP MCC

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 		Silicon NPN epitaxial planer Transistors
MJD122-TP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
MJD127 ONSEMI

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 		Complementary Darlington Power Transistors
MJD127 MOTOROLA

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 		SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 CDIL

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 		COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS
MJD127 MCC

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 		Silicon PNP epitaxial planer Transistors
MJD127 SAMSUNG

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 		PNP (D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS)
MJD127 FAIRCHILD

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 		D-PAK for Surface Mount Applications
MJD127 STMICROELECTRONICS

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD127 LGE

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 		双极型晶体管

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