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MJD127

更新时间： 2024-11-19 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
Complementary Darlington Power Transistors

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MJD127 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.05外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

MJD127 数据手册

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by MJD122/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK For Surface Mount Applications  
*Motorola Preferred Device  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
8 AMPERES  
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series, TIP120–TIP122  
Series, and TIP125–TIP127 Series  
100 VOLTS  
20 WATTS  
•
•
•
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
High DC Current Gain — h  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
FE  
C
Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
MJD122  
MJD127  
Rating  
Symbol  
Unit  
CASE 369A–13  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
100  
100  
5
Vdc  
V
CB  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8
16  
Base Current  
I
B
120  
mAdc  
CASE 369–07  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.75  
0.014  
Watts  
W/ C  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
R
θJC  
θJA  
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
100  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 50 Vdc, I = 0)  
I
10  
µAdc  
CEO  
CE  
B
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.  
(continued)  
inches  
mm  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
12345678

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