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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 基于收集器的最大容量： | 200 pF | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD122-1G | ONSEMI |
获取价格 |
8.0 A，100 V，NPN 达林顿双极功率晶体管 |
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| MJD122G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Darlington Power Transistor |
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| MJD122NPN | CDIL |
获取价格 |
COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS |
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| MJD122R-HAF | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 |
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| MJD122RLG | ONSEMI |
获取价格 |
8.0 A，100 V，NPN 达林顿双极功率晶体管 |
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| MJD122T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Darlington Power Transistor |
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| MJD122T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| MJD122T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT |
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| MJD122T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Darlington Power Transistor |
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| MJD122TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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