生命周期: | Active | 包装说明: | R-XQMW-F4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.60 | 风险等级: | 5.3 |
最大二极管电容: | 0.1 pF | 二极管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
二极管类型: | MIXER DIODE | 频带: | MILLIMETER WAVE BAND |
JESD-30 代码: | R-XQMW-F4 | 元件数量: | 12 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROWAVE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.075 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGS911 | TE |
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GaAs Schottky Diodes | |
MGS912 | TE |
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GaAs Schottky Diodes | |
MGS912 | MACOM |
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GaAs Schottky Diodes | |
MGSB20800 | YANGJIE |
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TO-263 | |
MGSD | TE |
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GRID HIGH-PERFORMANCE RELAYS | |
MGSDD | TE |
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GRID HIGH-PERFORMANCE RELAYS | |
MGSF1N02EL | MOTOROLA |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET | |
MGSF1N02ELT1 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET | |
MGSF1N02ELT1G | ONSEMI |
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750mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN | |
MGSF1N02ELT3 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |