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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11 |
| 针数： | 11 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X11 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 11 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50J6ES11 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J6ES40 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J6ES45 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50J6ES50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50J6ES91 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50M1BK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33D1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| MG50M2CK2 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-68B1A, 5 PIN, BIP General |
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| MG50M2YK1 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Triple Diffused Type(High Power Switching, Motor Control Applications) |
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| MG50M2YK1 | IXYS |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, |
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| MG50M2YK9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94D1A, 7 PIN, BIP General |
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