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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 880 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50M2CK2 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-68B1A, 5 PIN, BIP General |
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| MG50M2YK1 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Triple Diffused Type(High Power Switching, Motor Control Applications) |
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| MG50M2YK1 | IXYS |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, |
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| MG50M2YK9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94D1A, 7 PIN, BIP General |
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| MG50M2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N1BS1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-33D1A, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50N1BS11 | TOSHIBA |
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MG50N1BS11 |
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| MG50N2CK1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-68B1A, 5 PIN, BIP General |
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| MG50N2YK1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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