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MG50Q6ES50

更新时间: 2024-11-17 22:08:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 278K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG50Q6ES50 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):72 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X17
元件数量:6端子数量:17
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):350 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):600 ns
标称接通时间 (ton):150 nsVCEsat-Max:3.2 V
Base Number Matches:1

MG50Q6ES50 数据手册

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