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MG50Q6ES51A

更新时间: 2024-02-10 20:43:53
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 273K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG50Q6ES51A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-P12
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):72 A集电极-发射极最大电压:1200 V
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-P12
元件数量:1端子数量:12
最高工作温度:125 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大功率耗散 (Abs):350 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
VCEsat-Max:3.2 VBase Number Matches:1

MG50Q6ES51A 数据手册

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