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MG50Q6ES51

更新时间: 2024-11-18 12:46:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 272K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG50Q6ES51 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数:17Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):72 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X17元件数量:6
端子数量:17最高工作温度:125 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):350 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):600 ns标称接通时间 (ton):150 ns
VCEsat-Max:3.2 VBase Number Matches:1

MG50Q6ES51 数据手册

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