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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最大降落时间（tf）： | 4000 ns | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50Q2YK9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1200 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG50Q2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50Q2YS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS50A | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q2YS91 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q6ES1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q6ES11 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q6ES40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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