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MG50Q2YS50

更新时间: 2024-11-17 22:08:59
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 336K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG50Q2YS50 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.18Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):78 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间(tf):300 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:400 W
最大功率耗散 (Abs):400 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):600 ns
标称接通时间 (ton):200 nsVCEsat-Max:3.6 V
Base Number Matches:1

MG50Q2YS50 数据手册

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