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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RTC |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 320 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSM50GB120DN2 | INFINEON |
功能相似  |
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
|
| CM50DU-24F | POWEREX |
功能相似 |
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 50 Amperes/1 |
|
| MG50Q2YS40 | TOSHIBA |
功能相似 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM50DU-24H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM50DU-24H | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD⑩ U-Series Module 50 Amperes/1200 |
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| CM50DY12E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| CM50DY-12H | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD 50 Amperes/600 Volts |
|
| CM50DY-12H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM50DY24E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
|
| CM50DY-24H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM50DY-24H | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD 50 Amperes/1200 Volts |
|
| CM50DY28 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 50A I(C) |
|
| CM50DY-28H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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