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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最大降落时间（tf）： | 5000 ns |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W | 子类别： | BIP General Purpose Power |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50M2YK9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94D1A, 7 PIN, BIP General |
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| MG50M2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N1BS1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-33D1A, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50N1BS11 | TOSHIBA |
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MG50N1BS11 |
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| MG50N2CK1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-68B1A, 5 PIN, BIP General |
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| MG50N2YK1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50P12E1A | YANGJIE |
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E1A |
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| MG50P12E2 | YANGJIE |
获取价格 |
E2 |
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