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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50Q1BS11 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q1ZS50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YK1 | IXYS |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, |
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| MG50Q2YK9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1200 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG50Q2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50Q2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS50A | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS9 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q2YS91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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