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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 78 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 600 ns | 标称接通时间 (ton)： | 200 ns |
| VCEsat-Max： | 3.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50Q2YK1 | IXYS |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, |
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| MG50Q2YK9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1200 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG50Q2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50Q2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YS50A | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| MG50Q2YS9 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q2YS91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q6ES1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50Q6ES11 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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