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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50N2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N2YS40 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50P12E1A | YANGJIE |
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E1A |
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| MG50P12E2 | YANGJIE |
获取价格 |
E2 |
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| MG50P12E2A | YANGJIE |
获取价格 |
E2A |
|
| MG50Q1BS1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG50Q1BS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q1ZS50 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50Q2YK1 | IXYS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, |
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