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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 元件数量： | 6 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG50J6ES50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG50J6ES91 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50M1BK1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33D1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| MG50M2CK2 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-68B1A, 5 PIN, BIP General |
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| MG50M2YK1 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Triple Diffused Type(High Power Switching, Motor Control Applications) |
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| MG50M2YK1 | IXYS |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, |
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| MG50M2YK9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94D1A, 7 PIN, BIP General |
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| MG50M2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG50N1BS1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-33D1A, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG50N1BS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
MG50N1BS11 |
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