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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MBD110DWT1
MBD110DWT1 PDF预览

MBD110DWT1

更新时间： 2024-11-22 22:30:03
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摩托罗拉 - MOTOROLA 微波混频二极管测试
页数 文件大小 规格书
8页 183K
描述
Dual Schottky Barrier Diodes

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MBD110DWT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.28
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最大二极管电容：1 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 V频带：VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.12 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：7 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MBD110DWT1 数据手册

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by MBD110DWT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and  
into smaller packages. The new SOT–363 package is a solution which simplifies  
circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete  
devices in one small six–leaded package. The SOT–363 is ideal for low–power  
surface mount applications where board space is at a premium, such as portable  
products.  
Motorola Preferred Devices  
6
5
4
Surface Mount Comparisons:  
1
2
3
SOT–363  
SOT–23  
2
CASE 419B–01, STYLE 6  
SOT–363  
Area (mm )  
4.6  
120  
2
7.6  
225  
1
Max Package P (mW)  
Device Count  
D
Space Savings:  
Package  
1
SOT–23  
40%  
2
SOT–23  
70%  
SOT–363  
The MBD110DW, MBD330DW, and MBD770DW devices are spin–offs of our  
popular MMBD101LT1, MMBD301LT1, and MMBD701LT1 SOT–23 devices. They  
are designed for high–efficiency UHF and VHF detector applications. Readily  
available to many other fast switching RF and digital applications.  
•
•
•
Extremely Low Minority Carrier Lifetime  
Very Low Capacitance  
Low Reverse Leakage  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Reverse Voltage  
MBD110DWT1  
MBD330DWT1  
MBD770DWT1  
V
R
7.0  
30  
70  
Vdc  
Forward Power Dissipation  
P
T
120  
mW  
F
T
A
= 25°C  
Junction Temperature  
–55 to +125  
–55 to +150  
°C  
°C  
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
DEVICE MARKING  
MBD110DWT1 = M4  
MBD330DWT1 = T4  
MBD770DWT1 = H5  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
12345678

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MBD110DWT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon
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 		SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD-153-AL ETC

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 		Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBD-153-KL ETC

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 		Low TCR, 1mW Dual Rejustor⑩ Micro-Resistor
MBD20 AUK

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 		Board Connector, 20 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Termina
MBD201 ONSEMI

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 		DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-226AC, CASE 182-02, TO-92, 2 PIN, Microwave Mixer

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