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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 静态存储器内存集成电路 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
29页 | 197K | |
描述 | ||
2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -30 °C |
组织: | 2MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
M69AR048BL80ZB8 | STMICROELECTRONICS | 32 Mbit (2Mb x16) 1.8V Asynchronous PSRAM |
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M69AR048BL85ZB8 | STMICROELECTRONICS | 32 Mbit (2Mb x16) 1.8V Asynchronous PSRAM |
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M69AW024B | STMICROELECTRONICS | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
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M69AW024BE | STMICROELECTRONICS | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
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M69AW024BE60ZB8F | STMICROELECTRONICS | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
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M69AW024BL60ZB8 | STMICROELECTRONICS | IC,PSEUDO-STATIC RAM,1MX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC |
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