是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.88 |
最长访问时间: | 85 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 组织: | 2MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M69AW024B | STMICROELECTRONICS |
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16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM | |
M69AW024BE | STMICROELECTRONICS |
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16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM | |
M69AW024BE60ZB8F | STMICROELECTRONICS |
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16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM | |
M69AW024BL60ZB8 | STMICROELECTRONICS |
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IC,PSEUDO-STATIC RAM,1MX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC | |
M69AW024BL60ZB8T | STMICROELECTRONICS |
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16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM | |
M69AW024BL70ZB8T | STMICROELECTRONICS |
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16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM | |
M69AW048B | STMICROELECTRONICS |
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32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM | |
M69AW048BL70ZB8 | STMICROELECTRONICS |
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32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM | |
M69AW048BL70ZB8E | STMICROELECTRONICS |
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2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 | |
M69AW048BL70ZB8F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |