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M69KB128AA70AW8

更新时间： 2024-09-25 02:51:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
68页 490K
描述
128 Mbit (8Mb x16) 1.8V Supply, Burst PSRAM

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M69KB128AA70AW8 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：WAFER
包装说明：WAFERReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：X-XUUC-N内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：16
功能数量：1字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：8MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装等效代码：WAFER封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：UNCASED CHIP并行/串行：PARALLEL
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.0002 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

M69KB128AA70AW8 数据手册

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M69KB128AA  
128 Mbit (8Mb x16) 1.8V Supply, Burst PSRAM  
PRELIMINARY DATA  
Features summary  
■ SUPPLY VOLTAGE  
– VCC = 1.7 to 1.95V core supply voltage  
– VCCQ = 1.7 to 1.95V for I/O buffers  
■ USER-SELECTABLE OPERATING MODES  
– Asynchronous Modes: Random Read, and  
Write, Page Read  
– Synchronous Modes: NOR-Flash, Full  
Synchronous (Burst Read and Write)  
■ ASYNCHRONOUS RANDOM READ  
– Access Times: 70ns, 85ns  
■ ASYNCHRONOUS PAGE READ  
– Page Size: 4, 8 or 16 Words  
Wafer  
– Subsequent Read Within Page: 20ns  
■ BURST READ  
– Fixed Length (4, 8, 16 or 32 Words) or  
Continuous  
– Maximum Clock Frequency: 66, 80,  
104MHz  
– Output delay: 7ns at 104MHz  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Active Current: < 25mA  
– Standby Current: 200µA  
– Deep Power-Down Current: 10µA  
■ LOW POWER FEATURES  
– Partial Array Self Refresh (PASR)  
– Deep Power-Down (DPD) Mode  
■ OPERATING TEMPERATURE  
– –30°C to +85°C  
M69KB128AA IS ONLY AVAILABLE AS PART OF A MULTIPLE MEMORY PRODUCT  
Rev2  
1/68  
January 2006  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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