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M69KM096AACW8

更新时间： 2024-11-26 21:18:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
59页 502K
描述
4MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, WAFER

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M69KM096AACW8 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：WAFER
包装说明：WAFERReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.84最长访问时间：70 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLEI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：X-XUUC-N内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：16
功能数量：1字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：4MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装等效代码：WAFER封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：UNCASED CHIP并行/串行：PARALLEL
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.00001 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

M69KM096AACW8 数据手册

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M69KM096AA  
64 Mbit (4 Mb x16), 83MHz clock rate,  
1.8V Supply, Multiplexed I/O, Bare Die, Burst PSRAM  
Preliminary Data  
Feature summary  
■
Supply Voltage  
– V = 1.7 to 1.95V core supply voltage  
CC  
– V  
= 1.7 to V for I/O buffers  
CC  
CCQ  
■ Multiplexed Address/Data bus  
■ Asynchronous Operating Modes  
– Random Read: 70ns access time  
– Asynchronous Write  
■ Synchronous modes  
– Synchronous Read:  
Fixed length (4-, 8-, 16-, and 32-Word) or  
continuous burst  
Clock Frequency: 83MHz (max)  
Wafer  
– Synchronous Write: continuous burst  
■ Low Power Consumption  
– Active Current: < 25mA  
– Standby Current: 140µA  
– Deep Power-Down Current: < 10µA  
■ Low Power Features  
– Partial Array Self-Refresh (PASR)  
– Deep Power-Down (DPD) Mode  
– Automatic Temperature-compensated Self-  
Refresh  
■ Operating Temperature  
– –30°C to +85°C  
The M69KM096AA is only available as part of a multi-chip package Product.  
July 2006  
Rev 2  
1/59  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
1
1234567...59

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