Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M69AW024BL60ZB8

M69AW024BL60ZB8

更新时间： 2024-02-19 00:49:25

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
29页	431K
描述
IC,PSEUDO-STATIC RAM,1MX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M69AW024BL60ZB8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.77
最长访问时间：	60 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00007 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

M69AW024B

16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.3V

ACCESS TIME: 60ns, 70ns

LOW STANDBY CURRENT: 70µA

DEEP POWER DOWN CURRENT: 10µA

Figure 1. Package

LOW V DATA RETENTION: 2.3V

COMPATIBLE WITH STANDARD LPSRAM

BGA

TFBGA48 (ZB)

6x8 mm

September 2004

1/29

12 3 4 5 6 7...29

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M69AW024BL60ZB8T	STMICROELECTRONICS	16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM	获取价格
M69AW024BL70ZB8T	STMICROELECTRONICS	16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM	获取价格
M69AW048B	STMICROELECTRONICS	32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM	获取价格
M69AW048BL70ZB8	STMICROELECTRONICS	32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM	获取价格
M69AW048BL70ZB8E	STMICROELECTRONICS	2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48	获取价格
M69AW048BL70ZB8F	STMICROELECTRONICS	2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48	获取价格