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M69KB048BD70W8F

更新时间： 2024-09-25 21:19:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
64页 652K
描述
2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, ROHS COMPLIANT, WAFER

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M69KB048BD70W8F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：WAFER
包装说明：ROHS COMPLIANT, WAFERReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.84最长访问时间：70 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLEJESD-30 代码：X-XUUC-N
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：16功能数量：1
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：2MX16
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：UNCASED CHIP
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

M69KB048BD70W8F 数据手册

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M69KB048BD  
M69AB048BD  
32 Mbit (2 Mb x16) 1.8 V supply, burst PSRAMs  
Features  
FBGA  
■ Asynchronous SRAM interface  
■ Fast access time: 70 ns  
■ Asynchronous page read  
– Page size: 8 words  
FBGA71 (ZA)  
7 x 11mm  
– First access within page: 70 ns  
– Subsequent read within page: 20 ns  
■ Synchronous burst read/write capability  
– Fixed length (8, or 16 words) or  
continuous mode  
– Output delay: 8 ns max  
– Burst read/write mode: fixed length (8 or 16  
words) or continuous  
■ Low voltage operating condition  
– V = 1.7 to 1.95 V  
CC  
■ Byte control by UB and LB  
■ Low power consumption  
– Active current: 30 mA  
– Standby current: 100 µA  
Wafer  
■ Three power-down modes  
– Deep power-down  
– Partial array refresh of 4 Mbits  
– Partial array refresh of 8 Mbits  
■ Wide operating temperature  
– –30 to +85°C  
®
■ ECOPACK FBGA71 package available  
December 2007  
Rev 2  
1/64  
www.st.com  
1
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与M69KB048BD70W8F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M69KB048BD70W8T STMICROELECTRONICS

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 		2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, WAFER
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M69KB048BD70ZA8T STMICROELECTRONICS

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