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M69AW024BL70ZB8T

更新时间: 2024-11-25 22:07:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
29页 431K
描述
16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM

M69AW024BL70ZB8T 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48针数:48
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
长度:8 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00007 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:6 mm
Base Number Matches:1

M69AW024BL70ZB8T 数据手册

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M69AW024B  
16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.3V  
ACCESS TIME: 60ns, 70ns  
LOW STANDBY CURRENT: 70µA  
DEEP POWER DOWN CURRENT: 10µA  
Figure 1. Package  
LOW V DATA RETENTION: 2.3V  
CC  
COMPATIBLE WITH STANDARD LPSRAM  
BGA  
TFBGA48 (ZB)  
6x8 mm  
September 2004  
1/29  

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