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M69AR048BL70ZB8T

更新时间： 2024-02-16 06:30:12

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	197K
描述
2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

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M69AR048BL70ZB8T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.8	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

M69AR048BL70ZB8T 数据手册

M69AR048B

SUMMARY DESCRIPTION

The M69AR048B is a 32 Mbit (33,554,432 bit)

CMOS memory, organized as 2,097,152 words by

16 bits, and is supplied by a single 1.65V to 1.95V

supply voltage range.

Write cycles can be performed on a single Byte by

using Upper Byte Enable (UB) and Lower Byte En-

able (LB).

The device can be put into standby mode using

Chip Enable (E1) or in Power-Down mode by us-

ing Chip Enable (E2).

The device features several Power-Down modes,

making of power saving a user configurable op-

tion:

M69AR048B is a member of STMicroelectronics

1T/1C (one transistor per cell) memory family.

These devices are manufactured using dynamic

random access memory cells, to minimize the cell

size, and maximize the amount of memory that

can be implemented in a given area.

However, through the use of internal control logic,

the device is fully static in its operation, requiring

no external clocks or timing strobes, and has a

standard Asynchronous SRAM Interface.

■

Partial Power-Down (4 Mbits, 8 Mbits or 16

Mbits) performs a limited refresh of the part of

the PSRAM array that contains essential data.

■

Deep Power-Down achieves a very low

current consumption by halting all the internal

activities. Since the refresh circuitry is halted,

the duration of the power-down should be less

than the maximum period for refresh.

The internal control logic of the M69AR048B han-

dles the periodic refresh cycle, automatically, and

without user involvement.

Figure 2. Logic Diagram

Table 1. Signal Names

A0-A20

Address Input

DQ0-DQ15

Data Input/Output

Chip Enable, Power-Down

Output Enable

E1, E2

A0-A20

DQ0-DQ15

Write Enable

Upper Byte Enable

Lower Byte Enable

Supply Voltage

Ground

M69AR048B

Not Connected

(no internal connection)

AI08154

4/29

1 2 345 6 7...29

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