Datasheet > M69AB048BD70W8F

M69AB048BD70W8F

更新时间： 2024-11-27 10:07:23

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	652K
描述
2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, ROHS COMPLIANT, WAFER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M69AB048BD70W8F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	WAFER
包装说明：	ROHS COMPLIANT, WAFER	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	X-XUUC-N	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	2MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装等效代码：	BGA71,8X12,32
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

M69AB048BD70W8F 数据手册

M69KB048BD

M69AB048BD

32 Mbit (2 Mb x16) 1.8 V supply, burst PSRAMs

Features

FBGA

■ Asynchronous SRAM interface

■ Fast access time: 70 ns

■ Asynchronous page read

– Page size: 8 words

FBGA71 (ZA)

7 x 11mm

– First access within page: 70 ns

– Subsequent read within page: 20 ns

■ Synchronous burst read/write capability

– Fixed length (8, or 16 words) or

continuous mode

– Output delay: 8 ns max

– Burst read/write mode: fixed length (8 or 16

words) or continuous

■ Low voltage operating condition

– V = 1.7 to 1.95 V

■ Byte control by UB and LB

■ Low power consumption

– Active current: 30 mA

– Standby current: 100 µA

Wafer

■ Three power-down modes

– Deep power-down

– Partial array refresh of 4 Mbits

– Partial array refresh of 8 Mbits

■ Wide operating temperature

– –30 to +85°C

■ ECOPACK FBGA71 package available

December 2007

Rev 2

1/64

www.st.com

12 3 4 5 6 7...64

中文翻译

下载PDF

与M69AB048BD70W8F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M69AB048BD70ZA8F	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-71
M69AB048BD70ZA8T	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, BGA71, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-71
M69AR024BL70ZB8	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M69AR024BL70ZB8F	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M69AR024BL80ZB8	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX16 STANDARD SRAM, 80ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M69AR048AL80ZB8	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 STANDARD SRAM, 80ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M69AR048AL85ZB8	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 STANDARD SRAM, 85ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M69AR048B	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit (2Mb x16) 1.8V Asynchronous PSRAM
M69AR048BL70ZB8	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M69AR048BL70ZB8E	STMICROELECTRONICS	获取价格	2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

与M69AB048BD70W8F相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

44
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

58

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M69AB048BD70W8F

M69AB048BD70W8F 技术参数

M69AB048BD70W8F 数据手册

与M69AB048BD70W8F相关器件

与M69AB048BD70W8F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M69AB048BD70W8F

M69AB048BD70W8F 技术参数

M69AB048BD70W8F 数据手册

与M69AB048BD70W8F相关器件

与M69AB048BD70W8F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？