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M69AB048BD70W8F

更新时间: 2024-01-16 03:30:01
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
64页 652K
描述
2MX16 PSEUDO STATIC RAM, 70ns, UUC, ROHS COMPLIANT, WAFER

M69AB048BD70W8F 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:WAFER
包装说明:ROHS COMPLIANT, WAFERReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLEI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:X-XUUC-N内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:71
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:2MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装等效代码:BGA71,8X12,32
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

M69AB048BD70W8F 数据手册

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M69KB048BD, M69AB048BD  
Description  
Figure 1.  
Logic diagram  
V
CC  
21  
16  
A0-A20  
W
DQ0-DQ15  
WAIT  
E1  
E2  
G
M69AB048BD  
M69KB048BD  
UB  
LB  
K
L
V
SS  
AI11394  
Table 1.  
Signal names  
Name  
Function  
A0-A20  
Address inputs  
Data inputs/outputs  
DQ0-DQ15  
E1  
E2  
G
Chip Enable input (Active Low)  
Chip Enable input (Active High)  
Output Enable input  
Write Enable input  
Upper Byte Enable input  
Lower Byte Enable input  
Clock input  
W
UB  
LB  
K
L
Latch Enable input  
Wait output  
WAIT  
VCC  
VSS  
Core supply voltage  
Ground  
7/64  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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