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KTC601E

更新时间： 2024-02-11 21:43:42

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	400K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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KTC601E 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.71	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

KTC601E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC601E

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

A super-minimold package houses 2 transistor.

Excellent temperature response between these 2 transistor.

DIM MILLIMETERS

1.6+0.05

High pairing property in h_FE

1.0+0.05

1.6+0.05

The follwing characteristics are common for Q₁, Q₂.

1.2 0.05

0.50

0.2+0.05

0.5 0.05

0.12 0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

RATING

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

1. Q BASE

2. Q , Q EMITTER

3. Q BASE

4. Q COLLECTOR

5. Q COLLECTOR

150

I_B

Base Current

TESV

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

200

150

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

T_stg

Storage Temperature Range

* Total Rating

-55 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

I_CBO

I_EBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP. MAX. UNIT.

V_CB=60V, I_E=0

0.1

400

0.25

V_EB=5V, I_C=0

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=6V, I_C=2

120

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

I_C=100 , I_B=10

0.1

V_CE=10V, I_C=1

C_ob

Collector Output Capacitance

Noise Figure

V_CB=10V, I_E=0, f=1

V_CE=6V, I_C=0.1 , f=1 , Rg=10

3.5

1.0

Note : h_FEClassification Y(4):120 240, GR(6):200 400

Marking

Type Name

Rank

2003. 2. 25

Revision No : 2

1/3

12 3

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