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KTC801U PDF预览

KTC801U

更新时间： 2024-11-19 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 401K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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KTC801U 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.66
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

KTC801U 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC801U  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
B
FEATURES  
B1  
A super-minimold package houses 2 transistor.  
Excellent temperature response between these 2 transistor.  
DIM MILLIMETERS  
_
1
2
3
6
5
4
A
A1  
B
2.00+0.20  
_
1.3+0.1  
High pairing property in hFE  
.
_
2.1+0.1  
D
_
1.25+0.1  
B1  
C
The follwing characteristics are common for Q1, Q2.  
0.65  
0.2+0.10/-0.05  
0-0.1  
D
G
_
0.9+0.1  
H
T
0.15+0.1/-0.05  
T
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
G
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
V
1. Q EMITTER  
1
2. Q BASE  
1
3. Q COLLECTOR  
2
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
60  
50  
4. Q EMITTER  
2
V
5. Q BASE  
2
6. Q COLLECTOR  
1
5
V
150  
mA  
mA  
mW  
IB  
Base Current  
30  
US6  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
200  
150  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Rating  
-55 150  
6
5
4
Q1  
Q2  
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT.  
VCB=60V, IE=0  
-
-
-
-
0.1  
0.1  
400  
0.25  
-
VEB=5V, IC=0  
hFE (Note)  
VCE(sat)  
fT  
VCE=6V, IC=2  
120  
-
-
Collector-EmitterSaturation Voltage  
Transition Frequency  
IC=100 , IB=10  
0.1  
-
V
VCE=10V, IC=1  
80  
-
Cob  
Collector Output Capacitance  
Noise Figure  
VCB=10V, IE=0, f=1  
VCE=6V, IC=0.1 , f=1 , Rg=10  
2
3.5  
10  
NF  
-
1.0  
Note : hFE Classification Y(4):120 240, GR(6):200 400  
Marking  
Type Name  
6
5
4
h
FE  
Rank  
L
1
2
3
2003. 2. 25  
Revision No : 2  
1/3  
123

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