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KTC8550

更新时间: 2024-11-17 22:47:27
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2页 277K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT)

KTC8550 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.66
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzBase Number Matches:1

KTC8550 数据手册

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