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KTC945B PDF预览

KTC945B

更新时间： 2024-11-19 22:47:27
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KEC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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KTC945B 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.71
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

KTC945B 数据手册

 浏览型号KTC945B的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTC945B  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
B
C
FEATURES  
ᴌExcellent hFE Linearity.  
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)  
ᴌLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz  
ᴌComplementary to KTA733B(O, Y, GR class).  
DIM MILLIMETERS  
N
A
B
C
D
E
4.70 MAX  
4.80 MAX  
3.70 MAX  
0.45  
E
K
D
G
1.00  
F
1.27  
G
H
J
K
L
0.85  
0.45  
_
H
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
14.00 +0.50  
0.55 MAX  
2.30  
0.45 MAX  
1.00  
F
F
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
M
N
60  
50  
3
1
2
V
1. EMITTER  
2. BASE  
3. COLLECTOR  
5
V
Collector Current  
150  
mA  
mW  
ᴱ
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
625  
TO-92  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
IC=100ỌA, IE=0  
60  
50  
5
-
-
-
-
-
V
V
IC=1mA, IB=0  
IE=100ỌA, IC=0  
-
-
V
VCB=60V, IE=0  
-
0.1  
0.1  
700  
0.25  
1.0  
-
ỌA  
ỌA  
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-
hFE (Note)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCE=6V, IC=2mA  
IC=100mA, IB=10mA  
IC=100mA, IB=10mA  
VCE=10V, IC=10mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
DC Current Gain  
70  
-
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
0.1  
-
V
V
-
-
300  
2.0  
1.0  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
Noise Figure  
-
3.5  
10  
NF  
VCE=6V, IC=0.1mA Rg=10kή, f=1kHz  
-
dB  
Note : hFE Classification  
O:70~140, Y:120~240, GR:200~400, BL:350~700  
2001. 9. 14  
Revision No : 2  
1/2  
12

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