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KTD1003

更新时间: 2024-10-31 22:32:03
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页数 文件大小 规格书
2页 292K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)

KTD1003 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.73
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):400
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

KTD1003 数据手册

 浏览型号KTD1003的Datasheet PDF文件第2页 

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