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KTC9014S

更新时间： 2024-01-26 05:39:58

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC9014S 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	Base Number Matches：	1

KTC9014S 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC9014S

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

Excellent h_FELinearity

2.93+0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

: h_FE(I_C=0.1mA)/h_FE(I_C=2mA)=0.95(Typ.).

Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.

Complementary to KTC9015S.

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

150

I_E

Emitter Current

-150

350

SOT-23

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55 150

* P_C: Package Mounted On 99.5% Alumina (10

0.6

)

Marking

Rank

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=50V, I_E=0

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

100

1000

0.25

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=5V, I_C=1mA

100

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA, f=100MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

0.1

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Noise Figure

2.0

1.0

3.5

V_CE=6V, I_C=0.1mA, Rg=10k , f=1kHz

Note : h_FEClassification B:100 300, C:200 600, D:400 1000

2002. 9. 3

Revision No : 0

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