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KTC9018

更新时间: 2024-10-31 22:47:27
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1页 122K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER, VHF BAND AMPLIFIER)

KTC9018 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.63
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.02 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):39最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):800 MHz
Base Number Matches:1

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