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KTC8550A

更新时间： 2024-11-20 05:41:03

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KEC		晶体半导体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	50K
描述
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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KTC8550A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

KTC8550A 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC8550A

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH CURRENT APPLICATION.

FEATURE

· Complementary to KTC8050A.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-35

UNIT

1.00

1.27

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

0.85

0.45

14.00 +0.50

-30

0.55 MAX

2.30

-5

0.45 MAX

1.00

Collector Current

-800

800

℃

I_E

Emitter Current

1. EMITTER

2. BASE

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

400

3. COLLECTOR

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

TO-92 (F)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=-15V, I_E=0

-35

-30

100

-50

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

I_C=-0.5mA, I_E=0

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C=-1mA, I_B=0

300

V_CE=-1V, I_C=-50mA

V_CE=-1V, I_C=-350mA

I_C=-500mA, I_B=-50mA

V_CE=-1V, I_C=-500mA

V_CE=-5V, I_C=-10mA

DC Current Gain

V_CE(sat)

V_BE

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

-0.5

-1.2

f_T

Transition Frequency

120

MHz

C_ob

V_CB=-10V, f=1MHz, I_E=0

Collector Output Capacitance

Note : h_FE(1) Classification C : 100∼ 200, D : 150∼ 300

2010. 1. 28

Revision No : 2

1/2

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