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KTC9014_10

更新时间： 2024-11-01 11:32:19

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KEC		晶体晶体管局域网
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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC9014_10 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC9014

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Excellent h_FELinearity

: h_FE(I_C=0.1mA)/h_FE(I_C=2mA)=0.95(Typ.).

· Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.

· Complementary to KTC9015.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

0.45

14.00 +0.50

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

0.55 MAX

2.30

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

SYMBOL RATING

UNIT

0.45 MAX

1.00

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

150

I_E

Emitter Current

-150

625

TO-92

P_C*

Collector Power Dissipation

400

T_j

Junction Temperature

150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

* Cu Lead-Frame : 625mW

Fe Lead-Frame : 400mW

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=50V, I_E=0

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

100

1000

0.25

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=5V, I_C=1mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA, f=100MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

0.1

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Noise Figure

2.0

1.0

3.5

V_CE=6V, I_C=0.1mA, Rg=10kΩ , f=1kHz

Note : h_FEClassification A:60∼ 150, B:100∼ 300, C:200∼ 600, D:400∼ 1000

2010. 3. 22

Revision No : 1

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