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KTC812E PDF预览

KTC812E

更新时间： 2024-11-17 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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KTC812E 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

KTC812E 数据手册

 浏览型号KTC812E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTC812E的Datasheet PDF文件第3页 
SEMICONDUCTOR  
KTC812E  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
B
SWITCHING APPLICATION.  
B1  
FEATURES  
ᴌA super-minimold package houses 2 transistor.  
ᴌExcellent temperature response between these 2 transistor.  
1
2
3
6
5
DIM MILLIMETERS  
_
A
A1  
B
1.6+0.05  
_
1.0+0.05  
ᴌHigh pairing property in hFE  
.
_
1.6+0.05  
_
B1  
C
D
H
J
1.2+0.05  
ᴌThe follwing characteristics are common for Q1, Q2.  
0.50  
4
_
0.2+0.05  
_
0.5+0.05  
_
0.12+0.05  
P
P
P
5
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
60  
50  
1. Q EMITTER  
1
2. Q BASE  
V
1
3. Q BASE  
2
4. Q COLLECTOR  
2
5
V
5. Q EMITTER  
2
6. Q COLLECTOR  
1
150  
mA  
mA  
mW  
ᴱ
IB  
Base Current  
30  
TES6  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
200  
150  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Rating  
-55ᴕ150  
ᴱ
6
5
4
Q1  
Q2  
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT.  
VCB=60V, IE=0  
-
-
-
-
0.1  
0.1  
400  
0.3  
-
ὧ
ὧ
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
hFE (Note)  
VCE(sat)  
fT  
VCE=6V, IC=2Ὠ  
120  
-
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
IC=100Ὠ, IB=10Ὠ  
VCE=10V, IC=1Ὠ  
0.1  
-
V
80  
-
ὲ
ὸ
὘
Cob  
Collector Output Capacitance  
Noise Figure  
VCB=10V, IE=0, f=1ὲ  
VCE=6V, IC=0.1Ὠ, f=1ά, Rg=10ὶ  
2
3.5  
10  
NF  
-
1.0  
Note : hFE Classification Y(4):120ᴕ240, GR(6):200ᴕ400  
Marking  
Type Name  
6
5
4
h
FE  
Rank  
W
1
2
3
2001. 8. 6  
Revision No : 0  
1/3  
123

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与KTC812E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTC812T KEC

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 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
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