5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KTC802E
KTC802E PDF预览

KTC802E

更新时间： 2024-11-17 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

阅读下载

中文翻译

获取价格

KTC802E 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.77最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：320 MHzBase Number Matches：1

KTC802E 数据手册

 浏览型号KTC802E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTC802E的Datasheet PDF文件第3页 
SEMICONDUCTOR  
KTC802E  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
B
SWITCHING APPLICATION.  
B1  
FEATURES  
ᴌHigh Current.  
1
2
3
6
5
DIM MILLIMETERS  
_
ᴌLow VCE(sat)  
.
A
A1  
B
1.6+0.05  
_
1.0+0.05  
: VCE(sat)ᴪ250mV at IC=200mA/IB=10mA.  
ᴌComplementary to KTA702E.  
_
1.6+0.05  
_
B1  
C
D
H
J
1.2+0.05  
0.50  
4
_
0.2+0.05  
_
0.5+0.05  
_
0.12+0.05  
P
P
P
5
MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
15  
12  
1. Q EMITTER  
1
2. Q BASE  
1
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
3. Q COLLECTOR  
2
4. Q EMITTER  
2
6
V
5. Q BASE  
2
6. Q COLLECTOR  
1
500  
1
mA  
A
Collector Current  
ICP (Note)  
PC *  
TES6  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
200  
150  
-55ᴕ150  
mW  
ᴱ
Tj  
6
5
4
Tstg  
Storage Temperature Range  
ᴱ
Note : Single pulse Pw=1mS.  
* Total Rating.  
Q1  
Q2  
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
nA  
V
VCB=15V, IE=0  
-
15  
12  
6
-
-
100  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
IC=10ỌA  
-
IC=1mA  
-
-
-
V
IE=10ỌA  
-
V
VCE=2V, IC=10mA  
IC=200mA, IB=10mA  
VCE=2V, IC=10mA, fT=100MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
270  
-
-
680  
250  
-
-
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
90  
320  
7.5  
mV  
MHz  
pF  
-
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Marking  
6
5
4
Type Name  
L Z  
1
2
3
2002. 2. 20  
Revision No : 1  
1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与KTC802E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTC8050 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)
KTC8050_9911 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC8050A KEC

获取价格

 		SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
KTC8050S KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC811 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC811E KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC811U KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC812E KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC812T KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC812T_05 KEC

获取价格

 		TS6 PACKAGE

与KTC802E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证