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KTC601E

更新时间: 2024-02-08 01:48:38
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KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 400K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

KTC601E 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数:5Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.71最大集电极电流 (IC):0.15 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G5
元件数量:2端子数量:5
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzBase Number Matches:1

KTC601E 数据手册

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KTC601E  
hFE - IC  
IC - VCE  
1k  
240  
200  
160  
120  
80  
COMMON EMITTER  
Ta=25 C  
COMMON EMITTER  
6.0mA 5.0mA  
3.0mA  
500  
300  
2.0mA  
V
=6V  
CE  
Ta=100 C  
Ta=25 C  
Ta=-25 C  
1.0mA  
0.5mA  
100  
50  
30  
I
=0.2mA  
B
V
=1V  
CE  
40  
0
0
10  
0
1
2
3
4
5
6
7
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100  
300  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V  
(V)  
COLLECTOR CURRENT I (mA)  
C
CE  
VBE(sat) - IC  
VCE(sat) - IC  
1
10  
COMMON EMITTER  
/I =10  
COMMON EMITTER  
/I =10  
I
I
C
B
C
B
0.5  
0.3  
5
3
Ta=25 C  
0.1  
1
0.05  
0.03  
0.5  
0.3  
Ta=25 C  
Ta=-25 C  
0.01  
0.1  
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100  
300  
0.1  
0.3  
1
3
10  
100  
300  
30  
COLLECTOR CURRENT I (mA)  
C
COLLECTOR CURRENT I (mA)  
C
fT - IC  
IB - VBE  
3k  
1k  
3k  
COMMON EMITTER  
=10V  
COMMON  
EMITTER  
=6V  
V
CE  
Ta=25 C  
1k  
300  
100  
30  
10  
3
V
CE  
500  
300  
5
C
100  
=-2  
Ta=100  
C
Ta=25  
C
Ta  
50  
30  
1
10  
0.3  
0.1  
0.3  
1
3
10  
30  
100  
300  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
(V)  
1.2  
COLLECTOR CURRENT I (mA)  
C
BASE-EMITTER VOLTAGE V  
BE  
2003. 2. 25  
Revision No : 2  
2/3  

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