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KTC611T PDF预览

KTC611T

更新时间： 2024-01-06 01:20:56
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTC611T 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

KTC611T 数据手册

 浏览型号KTC611T的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTC611T  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
E
B
FEATURES  
ᴌExcellent hFE Linearity  
DIM MILLIMETERS  
_
A
2.9+0.2  
1
2
3
5
4
B
1.6+0.2/-0.1  
_
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
0.70+0.05  
: hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V, IC=400mA.  
ᴌComplementary to KTA511T.  
_
0.4+0.1  
2.8+0.2/-0.3  
_
+
1.9 0.2  
0.95  
_
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
0.55  
I
H
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
RATING  
35  
UNIT  
V
J
J
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
1. Q BASE  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
V
1
2. Q , Q EMITTER  
2
1
3. Q BASE  
5
V
2
4. Q COLLECTOR  
5. Q COLLECTOR  
1
2
500  
mA  
mA  
W
IE  
Emitter Current  
-500  
0.9  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
TSV  
150  
ᴱ
Tstg  
-55ᴕ150  
ᴱ
EQUIVALENT CIRCUIT(TOP VIEW)  
* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)  
5
4
Q1  
Q2  
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
-
MAX.  
UNIT  
ỌA  
VCB=35V, IE=0  
-
-
0.1  
0.1  
240  
-
IEBO  
hFE(1) (Note)  
hFE(2) (Note)  
VCE(sat)  
VBE  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
ỌA  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=6V, IC=400mA  
IC=100mA, IB=10mA  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=6V, IC=20mA  
VCB=6V, IE=0, f=1MHz  
70  
25  
-
-
DC Current Gain  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
0.1  
0.8  
300  
7.0  
0.25  
1.0  
-
V
V
-
fT  
Transition Frequency  
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Note : hFE(1) Classification  
hFE(2) Classification  
0:70ᴕ140, Y:120ᴕ240  
0:25Min., Y:40Min.  
Marking  
5
4
Lot No.  
h
Rank  
FE  
Type Name  
L
1
2
3
2002. 1. 24  
Revision No : 1  
1/2  
12

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