5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KTC611T
KTC611T PDF预览

KTC611T

更新时间： 2024-11-19 21:56:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

KTC611T 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

KTC611T 数据手册

 浏览型号KTC611T的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTC611T  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
E
B
FEATURES  
ᴌExcellent hFE Linearity  
DIM MILLIMETERS  
_
A
2.9+0.2  
1
2
3
5
4
B
1.6+0.2/-0.1  
_
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
0.70+0.05  
: hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V, IC=400mA.  
ᴌComplementary to KTA511T.  
_
0.4+0.1  
2.8+0.2/-0.3  
_
+
1.9 0.2  
0.95  
_
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
0.55  
I
H
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
RATING  
35  
UNIT  
V
J
J
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
1. Q BASE  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
V
1
2. Q , Q EMITTER  
2
1
3. Q BASE  
5
V
2
4. Q COLLECTOR  
5. Q COLLECTOR  
1
2
500  
mA  
mA  
W
IE  
Emitter Current  
-500  
0.9  
PC *  
Tj  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
TSV  
150  
ᴱ
Tstg  
-55ᴕ150  
ᴱ
EQUIVALENT CIRCUIT(TOP VIEW)  
* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)  
5
4
Q1  
Q2  
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
-
MAX.  
UNIT  
ỌA  
VCB=35V, IE=0  
-
-
0.1  
0.1  
240  
-
IEBO  
hFE(1) (Note)  
hFE(2) (Note)  
VCE(sat)  
VBE  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
ỌA  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=6V, IC=400mA  
IC=100mA, IB=10mA  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=6V, IC=20mA  
VCB=6V, IE=0, f=1MHz  
70  
25  
-
-
DC Current Gain  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
0.1  
0.8  
300  
7.0  
0.25  
1.0  
-
V
V
-
fT  
Transition Frequency  
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Note : hFE(1) Classification  
hFE(2) Classification  
0:70ᴕ140, Y:120ᴕ240  
0:25Min., Y:40Min.  
Marking  
5
4
Lot No.  
h
Rank  
FE  
Type Name  
L
1
2
3
2002. 1. 24  
Revision No : 1  
1/2  
12

中文翻译

下载PDF

与KTC611T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTC801 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC801E KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC801U KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC802E KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC8050 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)
KTC8050_9911 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC8050A KEC

获取价格

 		SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
KTC8050S KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
KTC811 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTC811E KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

与KTC611T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证