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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5321F
KSC5321F PDF预览

KSC5321F

更新时间： 2024-11-24 23:16:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 58K
描述
High Voltage and High Reliability

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KSC5321F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.41其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：14 MHz
Base Number Matches：1

KSC5321F 数据手册

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KSC5321F  
High Voltage and High Reliability  
•
•
High speed Switching  
Wide Safe Operating Area  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
800  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
500  
V
CEO  
EBO  
7
V
I
I
I
I
5
A
C
10  
A
CP  
B
2
A
*Base Current (Pulse)  
Power Dissipation(Tc=25)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
4
40  
A
BP  
P
W
°C  
°C  
C
T
T
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle≤10%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Characteristics  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rating  
3.1  
Unit  
R
R
Thermal Resistance  
°C/W  
θjc  
θja  
62.5  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, December 2002  
12345

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