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KSC5338FTU PDF预览

KSC5338FTU

更新时间： 2024-09-26 21:13:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 105K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSC5338FTU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：14 MHzBase Number Matches：1

KSC5338FTU 数据手册

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KSC5338F  
High Voltage Power Switch Switching  
Application  
•
•
High Speed Switching  
Wide SOA  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
1000  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
450  
9
V
I
I
5
A
C
10  
A
CP  
B
I
I
2
A
Base Current (Pulse)  
4
40  
A
BP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= 1mA, I = 0  
1000  
450  
9
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= 5mA, I =0  
V
B
I =1mA, I =0  
V
C
E
I
I
V
= 800V, V = 0  
10  
10  
30  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
= 9V, I = 0  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0.5A  
15  
6
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
h
= 1V, I = 2A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 1A, I = 0.1A  
0.55  
0.8  
0.5  
V
V
CE  
C
C
B
= 2A, I = 0.4A  
B
V
(sat)  
I
I
= 1A, I = 0.1A  
1.1  
1.25  
V
V
BE  
C
C
B
= 2A, I = 0.4A  
B
C
C
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn ON Time  
V
V
V
V
= 10V, f =1MHz  
70  
1000  
14  
pF  
pF  
ob  
ib  
CB  
EB  
CE  
CC  
=8V, I =0, f =1MHz  
C
f
= 10V, I = 0.1A  
MHz  
ns  
T
C
t
t
t
= 125V, I = 1A  
200  
2
ON  
C
I
= 0.2A, I = -0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R =125Ω  
L
Fall Time  
500  
ns  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle≤10%  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5338J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5345 FAIRCHILD

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 		High Voltage and High Reliability
KSC5345J69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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