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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5386YDTBTU
KSC5386YDTBTU PDF预览

KSC5386YDTBTU

更新时间： 2024-01-13 23:12:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 显示器高压
页数 文件大小 规格书
5页 765K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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KSC5386YDTBTU 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：8
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSC5386YDTBTU 数据手册

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KSC5386  
High Voltage Color Display Horizontal  
Deflection Output  
Equivalent Circuit  
C
(Damper Diode Built In)  
•
•
•
•
High Collector-Base Breakdown Voltage : BV  
=1500V  
B
CBO  
TO-3PF  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
High Speed Switching : t =0.1µs (Typ)  
1
F
Wide S.O.A  
For C-Monitor (48KHz)  
50Ω typ.  
E
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
1500  
CBO  
CEO  
EBO  
800  
V
6
V
I
I
7
16  
A
C
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
ꢀꢁꢁ ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
Units  
I
I
I
V
V
V
V
= 1400V, R = 0  
mA  
µA  
CES  
CE  
CB  
EB  
CE  
BE  
= 800V, I = 0  
10  
CBO  
EBO  
E
= 4V, I = 0  
40  
8
250  
22  
mA  
C
h
= 5V, I = 1.0A  
C
FE  
V
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Damper Diode Turn On Voltage  
Fall Time  
I
I
= 5A, I = 1.2A  
4.2  
1.5  
2
V
V
CE  
BE  
F
C
C
B
= 5A, I = 1.2A  
B
I = 6A  
V
F
t
V
= 200V, I = 4A, I = 0.8A,  
0.2  
µs  
F
CC  
C
B1  
I
= -1.6A, R = 50Ω  
B2  
L
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Item  
Max  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
2.37  
°C/W  
θ
jc  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. B. February 2000  
12345

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