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KSC5367J69Z

更新时间： 2024-02-23 05:55:41

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	59K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5367J69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	12
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSC5367J69Z 数据手册

KSC5367

High Voltage and High Reliability

•

High speed Switching

Wide Safe Operating Area

High Collector Base Voltage

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

1600

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current

800

CEO

EBO

*Base Current (Pulse)

Power Dissipation(Tc=25)

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

150

- 65 ~ 150

STG

* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle≤10%

Thermal Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Characteristics

Junction to Case

Junction to Ambient

Rating

1.56

Unit

Thermal Resistance

°C/W

θjc

θja

62.5

Rev. A1, June 2001

12 3 4 5 6

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