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KSC5328J69Z PDF预览

KSC5328J69Z

更新时间： 2024-11-27 21:14:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5328J69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSC5328J69Z 数据手册

 浏览型号KSC5328J69Z的Datasheet PDF文件第2页 
NPN TRIPLE DIFFUSED  
KSC5328  
PLANAR SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE POWER SWITCH  
SWITCHING APPLICATION  
TO-220  
· High Speed Switching  
· Wide SOA  
· High Collector-Base Voltage  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
Symbol  
VCBO  
Rating  
1200  
800  
7
Unit  
V
VCEO  
VEBO  
IC  
V
V
5
A
ICP  
15  
A
IB  
2.5  
A
Base Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
IBP  
7.5  
A
PC  
80  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
-65 ~ 150  
TSTG  
* Pulse Test: Pulse Width=100ms, Duty Cycle£10%  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC =25°C)  
Characteristic  
Collector Base Breakdown Voltage  
Collector Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Base Breakdown Voltage  
Collector Cut off Current  
Symbol  
BVCBO  
Test Conditions  
Min  
1200  
800  
7
Typ  
Max  
Unit  
V
IC = 1mA, IE = 0  
BVCEO  
BVEEO  
ICBO  
IC = 5mA, IB =0  
V
IE = 1mA, IC = 0  
V
VCB = 800V, IE = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
10  
10  
40  
mA  
mA  
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
DC Current Gain  
hFE  
hFE  
1
2
VCE = 5V, IC = 0.3A  
VCE = 5V, IC = 1.0A  
IC = 1.2mA, IB = 250mA  
IC = 1.2mA, IB = 250mA  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
VCC = 400V,  
10  
8
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
2.0  
1.5  
V
V
Output Capacitance  
Turn On Time  
Storage Time  
Fall Time  
COB  
tON  
tSTG  
tF  
pF  
ms  
ms  
ms  
70  
0.5  
2.0  
IC = 3A = 5IB1 = -2.5 · IB2  
RL = 133W  
0.25  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.56  
Rq jC  
°C/W  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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